سایت تخصصی برق الکترونیک کامپیوتر مخابرات موبایل

به گزارش ستاد ویژه توسعه فناوری نانو ، ادوات نیمه هادی آلی دارای مزایای مختلفی نظیر هزینه تولید کم ، انعطاف پذیری ، سبک بودن و پردازش ساده تر هستند.

با این حال این ادوات با یک مشکل اساسی روبرو هستند که آن حرکت کُند الکترون در این ادوات بوده و نتیجه آن جریان ضعیف و هدایت کم الکتریکی است.

در حال حاضر سرعت حرکت الکترون در ترانزیستورهای نیمه هادی آلی 20 تا 30 برابر بیشتر از ترانزیستورهای نیمه هادی آلی رایج است.

با این کار دامنه کاربرد ترانزیستورهای نیمه هادی آلی افزایش یافته به طوری که می توان از آنها در نمایشگرهای ال ای دی آلی و پیل های خورشیدی آلی آلی استفاده کرد.

این پروژه با همکاری مشترک سی دی چن از آکادمی سینیکا و میت لین از دانشگاه ملی تایوان انجام شده و نتایج آن در نشریه Applied Physics Letters به چاپ رسیده است.

محققان این پروژه از یک نانوذره آلی منفرد از جنس پریلن تتراکربوکسیلیک دی انیدرید برای این کار استفاده کردند؛ آنها این نانوذره را وارد یک نانوحفره کردند که ساختار نهایی قدرت انتقال الکترون بسیار بالایی دارد به طوری که سرعت حرکت الکترون در دمای اتاق 0.08 cm2/Vs است.

علاوه بر هدایت الکتریکی بالا، ترانزیستور نیمه هادی آلی بالاترین کارایی کوانتومی را دارد.

اتم های عناصر مختلف دارای الکترونهایی هستند که در مدارهای مختلفی به دور هسته گردش می کنند . الکترونهایی که در مدارهای نزدیک به هسته گردش می کنند انرژی کمتری دارند اما از طرف هسته ، نیروی جاذبه بیشتری بر آنها وارد می شود و در نتیجه نمی توان به آسانی این الکترونها را از اتم جدا کرد .

در هر اتم ، آخرین مدار را لایه ظرفیت یا لایه والانس می گویند و الکترونهای این لایه را الکترونهای ظرفیت یا والانس می نامند . الکترونهای والانس انرژی بیشتری نسبت به بقیه الکترونها دارند اما وابستگی آنها به هسته کمتر از بقیه الکترونها می باشد . در شکل (1) ساختمان اتمی اتم مس نمایش داده شده است . همانطور که در این شکل مشاهده می کنید اتم مس فقط یک الکترون والانس دارد .

شکل (1)

بیشتر در ادامه مطلب